工作内容：
1、参与完成SiC MOSFET元胞结构和终端结构设计优化，配合工艺工程师完成工艺流程开发。
任职要求：
1、必备项：掌握TCAD和L-edit等基本软件的使用； 2、有IGBT或SiC MOSFET等功率器件的设计经历； 3、对SiC MOSFET全开发流程有了解。
投递邮箱：郑女士：shiyin_zheng@junlink.com.cn 李先生：yang_li@junlink.com.cn
